Kim cương là vật liệu quý giá trong công nghệ tiên tiến nhờ độ cứng vượt trội, khả năng dẫn nhiệt và khả năng chứa các khiếm khuyết phù hợp cho ứng dụng lượng tử. Việc chế tạo các lớp kim cương siêu mỏng và mịn thường gặp khó khăn do các kỹ thuật truyền thống có thể gây hư hại bề mặt. Một phương pháp ion implantation kết hợp lift-off giúp tách lớp kim cương mỏng bằng cách tạo ra lớp tổn thương bên dưới bề mặt, sau đó chuyển hóa lớp này thành graphit để nâng lớp kim cương mỏng lên. Nhóm nghiên cứu đã phát hiện kỹ thuật trồng thêm một lớp epilayer kim cương mới thay cho việc nung nhiệt độ cao có thể chuyển lớp tổn thương thành graphit mà không gây hại cho nền kim cương, đồng thời tạo ra màng kim cương tinh khiết hơn cả vật liệu gốc. Phương pháp này sử dụng kỹ thuật lắng đọng hóa hơi plasma vi sóng giúp lớp mới đồng nhất với nền, đảm bảo chất lượng điện tử. Kỹ thuật đơn giản hóa này không chỉ nâng cao chất lượng mà còn giảm thiểu tổn thất vật liệu, mở ra tiềm năng phát triển các thiết bị điện tử nhanh hơn và công nghệ máy tính lượng tử tiên tiến.
